2023年9月20日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“新微半導(dǎo)體”）宣布，基于砷化鎵（GaAs）襯底的集成無(wú)源器件（Integrated Passive Device, IPD）IP3PI工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)完成。憑借高Q值、高集成度和高耐壓等優(yōu)異的特征，滿足當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)射頻前端功能不斷優(yōu)化的要求。該工藝平臺(tái)可以提供高可靠性、更優(yōu)性能、更小體積以及更低成本的無(wú)源代工產(chǎn)品，助力客戶在無(wú)線通信、微波和毫米波通信等領(lǐng)域獲得更好的應(yīng)用效果。
新微半導(dǎo)體GaAs IPD 工藝平臺(tái)典型無(wú)源元器件示例
IP3PI工藝平臺(tái)是一種三層金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu)的集成無(wú)源器件平臺(tái)，使用低介電材料作為電容和電感邊緣的填充層，在增加電容和電感耐壓的同時(shí)，還不會(huì)降低電容密度。該平臺(tái)可以為客戶提供28V（IP3PI13）和50V（IP3PI12）兩種工作電壓選擇，也就是說(shuō)，客戶可以根據(jù)實(shí)際需求靈活地選擇190 pF/mm2 或150 pF/mm2的電容設(shè)計(jì)，從而滿足不同需求。此外，該平臺(tái)還可以提供50Ω標(biāo)準(zhǔn)方塊電阻和0.5Ω小方塊電阻以及電感等無(wú)源器件來(lái)實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)。
新微半導(dǎo)體GaAs IPD工藝平臺(tái)典型關(guān)鍵參數(shù)
當(dāng)今的射頻器件領(lǐng)域，由于產(chǎn)品集成度不斷提升以及工作頻段的不斷提高，對(duì)系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)也提出了更高的需求，功能電路需要以系統(tǒng)級(jí)封裝的形式將不同的電路集成到一起，新微半導(dǎo)體高Q無(wú)源集成工藝平臺(tái)在6吋砷化鎵襯底上，形成不同的器件，從而實(shí)現(xiàn)各種無(wú)源元件的高密度集成，大大節(jié)省了電路面積。該工藝平臺(tái)不僅達(dá)到了50V工作電壓下的工作壽命>1.0E+06小時(shí)的行業(yè)要求，同時(shí)也通過(guò)了更為嚴(yán)苛的環(huán)境應(yīng)力（TC、HAST）測(cè)試，使得該工藝平臺(tái)對(duì)終端產(chǎn)品的適用性得到了極大的拓展。相比傳統(tǒng)的無(wú)源器件工藝，IP3PI工藝平臺(tái)可為射頻系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供高性價(jià)比的方案。
新微半導(dǎo)體GaAs IPD工藝平臺(tái)橫截面圖
得益于更高應(yīng)用頻率的需求和微波毫米波技術(shù)的推動(dòng)，射頻前端產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)。新微半導(dǎo)體將充分發(fā)揮公司的先進(jìn)制造和技術(shù)資源優(yōu)勢(shì)，為客戶提供更卓越、更豐富的射頻代工解決方案和服務(wù)，并助力客戶開(kāi)辟化合物半導(dǎo)體更廣闊的應(yīng)用前景。
