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光電解決方案

在光電領(lǐng)域，新微半導(dǎo)體提供基于3/4吋磷化銦（InP）與4/6吋砷化鎵（GaAs）材料的全系列光電工藝解決方案，為廣大客戶提供覆蓋各波段的邊發(fā)射激光器（包括FP、DFB和EML等）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）和高靈敏度的光電探測器（包括PD、MPD和APD等）工藝平臺。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于光通訊、數(shù)據(jù)中心、人臉識別、汽車雷達、醫(yī)療與消費電子等眾多終端應(yīng)用領(lǐng)域。

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光電探測器(PD)工藝平臺

新微半導(dǎo)體提供基于3/4吋磷化銦（InP）和4吋砷化鎵（GaAs）材料體系的PD藝平臺，包含可實現(xiàn)光敏面直徑至3000μm大尺寸MPD和10G/25G高速光通信PD/APD兩大工藝平臺。憑借高響應(yīng)度、高靈敏度、高速度和低暗電流等優(yōu)異性能，為客戶提供低本高效的解決方案。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信、工業(yè)、醫(yī)療和消費電子等領(lǐng)域。

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邊發(fā)射激光器（FP/DFB）工藝平臺

新微半導(dǎo)體提供基于3/4吋磷化銦（InP）材料體系的、中心波長覆蓋600nm-2100nm的FP/DFB工藝平臺，包括最大功率可達50W的FP工藝平臺和2.5G/10G/25G的DFB工藝平臺，擁有高功率、寬調(diào)諧范圍和窄線寬等卓越的性能特征，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于氣體探測、醫(yī)療美容和精密測量等領(lǐng)域。

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垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）工藝平臺

新微半導(dǎo)體提供4/6吋砷化鎵（GaAs）材料體系的VCSEL工藝平臺，包含高速10G/25G/50G PAM4 850nm VCSEL和高功率陳列VCSEL兩大類型。光通信VCSEL工藝平臺具有高效光耦合、高速調(diào)制和低功耗等諸多優(yōu)勢；陣列VCSEL工藝平臺擁有低成本、高功率和高良率等卓越優(yōu)勢。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人臉識別和激光雷達等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。

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光電外延工藝平臺

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新微半導(dǎo)體提供基于3/4吋磷化銦（InP）晶圓與4/6吋砷化鎵（GaAs）晶圓材料的全系列光電工藝從外延到制造的代工解決方案。工藝技術(shù)范圍涵蓋鋅擴散、對接生長、多次外延、電子束光刻、ECR處理光學鍍膜、離子注入+氧化孔徑和BCB工藝等關(guān)鍵工藝。公司可以為廣大客戶提供高速度、高靈敏度的光電探測器（包括PD、MPD和APD等）、覆蓋各波段的邊發(fā)射器（包括FP、DFB和EML等）以及垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）等眾多工藝平臺。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于光通信、數(shù)據(jù)中心、消費電子、汽車雷達與醫(yī)療等眾多終端應(yīng)用領(lǐng)域。