上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“新微半導(dǎo)體”或“公司”）今日宣布，包括MPD（Monitor Photodetector）、10G-25G PD（Photodetector）及56G Pulse Amplitude Modulation 4-level (PAM4) PD在內(nèi)的系列光電探測(cè)器工藝平臺(tái)開發(fā)完成，具有高響應(yīng)度、高靈敏度、高速度和低暗電流等特性，可為客戶提供低成本、低功耗和高效的芯片解決方案，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信、工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)電子等眾多終端應(yīng)用領(lǐng)域。
新微半導(dǎo)體擁有一套完整的先進(jìn)工藝制程與特色工藝解決方案。基于磷化銦（InP）材料的10G-25G PD與MPD工藝平臺(tái)，涵蓋外延生長(zhǎng)、鋅擴(kuò)散、步進(jìn)式光刻和側(cè)壁處理等關(guān)鍵工藝?；谠撈脚_(tái)生產(chǎn)的用于GPON、XGPON和Combo PON OLT的光接收芯片，其特性與后端跨阻放大器等電路在電特性上有良好地匹配，以保證有足夠大的轉(zhuǎn)換系數(shù)、線性范圍、信噪比及快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)等。
MPD
MPD光電特性參數(shù)（T=25℃）：
25G PD
25G PD光電特性參數(shù)（T=25℃）：
56G PAM4
56G PAM4光電特性參數(shù)（T=25℃）:
新微半導(dǎo)體還通過自主外延研發(fā)與量產(chǎn)工藝線研發(fā)了3吋及4吋InP基探測(cè)器外延晶圓工藝技術(shù)、鋅擴(kuò)散外延晶圓工藝技術(shù)以及帶原位p型摻雜的全結(jié)構(gòu)InP基探測(cè)器外延晶圓工藝技術(shù)，滿足了光通信與傳感識(shí)別客戶對(duì)外延產(chǎn)品定制化需求。其中10G-25G PD 4吋晶圓外延片是中國大陸首次利用4吋InP基光芯片量產(chǎn)線驗(yàn)證研發(fā)的4吋InP基光電外延片。
在產(chǎn)品質(zhì)量方面，新微半導(dǎo)體擁有一套完整全面的質(zhì)量管理體系，從物料管理到工藝流程記錄檢驗(yàn)，可實(shí)現(xiàn)工藝過程全追溯，并配有到TO、模塊級(jí)的封裝測(cè)試及老化測(cè)試系統(tǒng)，確保了產(chǎn)品一致性、工藝技術(shù)穩(wěn)定性的優(yōu)勢(shì)。新微半導(dǎo)體亦提供設(shè)計(jì)支持服務(wù)與晶圓測(cè)試等增值服務(wù)以加快客制產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間，為客戶創(chuàng)造更高的商業(yè)價(jià)值。
新微半導(dǎo)體致力于最大程度降低產(chǎn)品集成復(fù)雜性、成本并縮短交付周期，同時(shí)公司還建立了PD/APD探測(cè)器高低溫暗電流、帶寬及響應(yīng)度晶圓級(jí)測(cè)試能力。未來，新微半導(dǎo)體光電芯片產(chǎn)品將從高速PD向高速高靈敏度APD以及集成光電接收芯片發(fā)展，為接入網(wǎng)及傳輸網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)貢獻(xiàn)“芯”力量。
